مصرف توان بالا، یکی از چالش های اساسی در طراحی تقویت کننده کم نویز با روش تطبیق همزمان نویز و امپدانس می باشد. در این مقاله یک روش طراحی برای کاهش توان مصرفی تقویت کننده های کم نویز ارائه شده است. در ابتدا به بررسی اثرات ولتاژهای نقطه کار و ابعاد تزانزیستور برروی پارامترهای نویزی پرداخته خواهد شد. در نظر گرفتن اثر پارامترهای ترانزیستور روی عملکرد نویز، منجر به طراحی تقویت کننده کم نویز با عدد نویز کم و مصرف توان پایین می گردد. سپس یک تقویت کننده کم نویز با روش پیشنهادی در فرکانس 5.2 گیگاهرتز، و پهنای باند تقریبا 1 گیگاهرتز در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18mm طراحی گردیده که نتایج شبیه سازی پسا جانمایی، نشان دهنده توان مصرفی 2.1mW، تحت ولتاز تغذیه 1.4 ولت، عدد نویز 2.71 dB، عدد نویز کمینه 2.1 dB، بهره توان 16.38 dB، ایزولاسیون معکوس -40.42 dB، تلفات بازگشتی ورودی -21.45 dB و تلفات بازگشتی خروجی -23.59 dB است.

در این مقاله یک روش عددی برای طراحی بهینه پیوننده خط شاخه‏ای برای تقسیم توان اختیاری بین دهانه‏های خروجی در یک باند فرکانسی همراه با تطبیق امپدانس منبع به امپدانس بار ارائه می‏شود. ابتدا، دامنه امواج منعکسه و منتقله در چهار دهانه پیوننده بر حسب ضرایب انعکاس و انتقال نوشته شده که بر حسب پارامترهای پراکندگی و در نهایت بر حسب ماتریس انتقال در تحلیل زوج و فرد بیان می‏شود. بالاخره پس از محاسبه توان خروجی در چهار دهانه، تابع خطائی برای نسبت توانها در خروجیهای پیوننده در باند فرکانسی مطلوب می‏سازیم. در این روش مدلهای پاشندگی برای خطوط میکرواستریپ نیز منظور می‏شود. کمینه‏سازی تابع خطا، ابعاد پیوننده مانند پهنای نوار میکرواستریپ و طول خطوط و شاخه‏هایش را به دست می‏دهد. پاسخ فرکانسی حاصل از برنامه‏های کامپیوتری نشان می‏دهد که روش پیشنهادی برای طراحی بهینه پیوننده خط شاخه‏ای موثر و کارآمد می‏باشد.

در این مقاله آنالیز همزمان سیگنال و نویز یک میکسر فعال متوازن با تعمیم مدل حرارتی برای بررسی رفتار نویز ترانزیستور FET در رژیم غیرخطی ارایه می شود. سپس بر اساس این مدل، گین تبدیلی و عدد نویز که بترتیب دو فاکتور مهم از خواص سیگنالی و نویزی میکسرها می باشد، محاسبه و شبیه سازی می شود. برای نشان دادن قابلیت نحوه آنالیز و نوع مدل بکار برده شده، نتایج حاصل با نتایج موجود برای میکسرهای تک ترانزیستوری و متوازن مقایسه گردیده اند.

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز (LNA) دوطبقه سورس مشترک با شبکه تطبیق ورودی جدید برای کاربردهای فرا پهن­ باند (UWB) ارائه شده است. شبکه تطبیق پیشنهاد شده با استفاده از فیدبک منفی فعال و یک شبکه سلفی، دستیابی همزمان به تطبیق امپدانس ورودی پهن باند، عدد نویز پایین و بهره یکنواخت بالا را فراهم کرده است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادشده بر پایه فنّاوری µ m 18/0 CMOS RF-TSMC طراحی و با استفاده از نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. این تقویت کننده در پهنای باند GHz 3. 10-1. 6، دارای بهره توان مستقیم (S21) dB 1± 15، عدد نویز (NF) کمتر از dB 3. 5 و تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 10-است. توان مصرفی آن نیز mW 10 از منبع تغذیه V 1 بوده و مساحت مصرفی تراشه در حدود mm2 0. 85 است.

در این مقاله پیوننده خط پیونیده چند قسمتی (پادجهتی) همراه با تطبیق امپدانس منبع به بار توسط روش کمترین مربعات ارائه می شود. تابع خطائی برای ضریب پیوند مشخص شده (C) بر مبنای مجذور دامنه نسبت ولتاژ پیونیده به ولتاژ تابش در دهانه ورودی ساخته می شود. این تابع خطا با استفاده از یک الگوریتم بهینه سازی تحت قید، مانند الگوریتم PATRAN برای تعیین هندسه پیوننده ( یعنی پهنای بهنجار شده نوار هادی (u=w=h) و فاصله بهنجار شده نوارها از یکدیگر (g=s/h) و طول پیوننده (1) کمینه می شود. (ضخامت زیر لایه برابر h است.) یک روش برای تعیین مقادیر اولیه u وg بر مبنای روابط پاشندگی برای ارائه می شود. برنامه های کامپیوتری برای روش پیشنهادی طراحی پیوننده ها نشان می دهد که یک طراحی مناسب برای هر طول پیوننده امکان دارد. این حالت در مواردی که محدودیت فضا قیدهائی را بر طول پیوننده اعمال می کند، جالب و کارآمد است. در هر حال، طراحی پیوننده با بهینه سازی مکرر نسبت به g,u و 1 بهبود می یابد. چند الگوریتم برای طراحی پیوننده همراه با تطبیق امپدانس تدوین شده است. خروجی برنامه های کامپیوتری بصورت منحنیهای C-F است و نشان می دهد که بهینه سازی طراحی پیوننده بطور موثری انجام می گیرد. بنابراین، روش پیشنهادی برای پیوننده خط پیوننده هم نیازهای پیوند و هم تطبیق امپدانس را تحقق می بخشد.

این مقاله به بررسی و تحلیل و طراحی تزویجگر (پیوننده) نامتقارن چندبخشی با امپدانس های پایان دهی متفاوت می پردازد. ساختار یک پیوننده خط کوپل شده مورد تحلیل و بررسی قرارگرفته است. در ابتدا ماتریس امپدانس آن استخراج شده است. در ادامه ماتریس انتقال به دست آمده، سپس ماتریس انتقال یک پیوننده جهتی نامتقارن چندبخشی بر اساس مشخصات آن، استخراج شده است. درنهایت ماتریس انتقال کلی تزویجگر (پیوننده) به ماتریس امپدانس آن تبدیل شده، و سپس ماتریس پراکندگی آن استخراج شده است. از روش حد اقل مربعات کاهش یافته به منظور طراحی تزویجگر (پیوننده) جهتی نامتقارن استفاده شده است. تابع خطا، که خود تابعی از ابعاد فیزیکی ساختار می باشد، بر اساس پارامترهای پراکندگی پیوننده جهتی نامتقارن تشکیل شده است. ابعاد فیزیکی ساختار (طول و پهنای خطوط و فاصله ی میان آن ها) با کمینه سازی تابع خطا به وسیله کد نوشته شده در نرم افزار MATLAB و استفاده از الگوریتم ژنتیک (GA) و الگوریتم گرادیان مزدوج (CGM) به دست می آید، سپس نرم افزار تحلیل تمام موج HFSS به منظور نهایی کردن ساختار بهینه تزویجگر (پیوننده) جهتی نامتقارن مورداستفاده قرارگرفته است. درنهایت یک مثال از تزویجگر (پیوننده) جهتی نامتقارن بر روی زیرلایه Rogers 4003 طراحی و ساخته شده، که نتایج اندازه گیری آن با نتایج شبیه سازی تطابق دارد. ضریب تزویج (پیوند) این ساختار 6 dB می باشد و در بازه فرکانسی 5. 2-6. 2 GHz با امپدانس های پایان دهی 50، 50، 75 و 100 اهم طراحی شده است.

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز چند باند با شبکه ورودی قابل تنظیم برای کاربردهای چند استانداردارائه شده است. این LNA قادر به عملکرد تک باند و دو باند هم زمان می باشد. در مدار پیشنهادی از سه کلید برای تغییر ساختار و یک ولتاژ کنترل جهت تغییر باند های عملکردی استفاده شده است. با این روش توانسته ایم تا 5 باند فرکانسی را پوشش دهیم. این LNA در تکنولوژی 0.18mm CMOS شرکت TSMC طراحی و شبیه سازی شده است. ساختار ارائه شده جهت استفاده در گیرنده های چند استاندراد و کاربردهای SDR مناسب است. نتایج شبیه سازی عدد نویز کمتر از 2.2 dB، S11 کمتر از -16dB و S11 بالاتر از 12.3dB را برای تمام باندهای فرکانسی ارائه می دهد. این ساختار از منبع تغذیه 1.5 ولتی، به مقدار 8.55 میلی وات توان مصرف می کند. ساختار پیشنهادی در مقایسه با کارهای پیشین، تعداد باند بیشتری را پشتیبانی کرده و عدد نویز بهتری دارد. بهره و خطینگی تقویت کننده پیشنهادی نیز در مقایسه با ساختارهای مشابه مقدار قابل قبولی دارد.

مهمترین چالش در تقویت کننده های کم نویز پهن باند، داشتن بهره مسطح و تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و همچنین پایین بودن عدد نویز در محدوده پهنای باند است. در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز، با پهنای باند بسیار وسیع و با بهره مسطح و عدد نویز پایین در محدوده پهنای باند 1/3 تا 6/10 گیگاهرتز ارائه شده است. در روش پیشنهادی، برای کاهش عدد نویز از یک تقویت کننده ابشاری به عنوان هسته اصلی و از خنثی سازی نویز برای افزایش بهره و کاهش عدد نویز استفاده شده است. برای ایجاد تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی از پسخورد فعال و ترانزیستورهای تطبیق استفاده شده و همچنین برای مسطح کردن بهره مستقیم در محدوده پهنای باند، بار RLC و پسخورد به کار گرفته شده است. کارایی این روش با شبیه سازی و استفاده از نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 90 (L=120nm) نانومتر بررسی شده و نتایج شبیه سازی حکایت از دستیابی به عدد نویز، در حدود 62/1 تا 1/2 دسیبل و بهره بسیار مسطح در حدود 9/11 تا 12 دسیبل در توان مصرفی 72/11 میلی وات و در گستره فرکانسی 1/3 تا 6/10 گیگاهرتز دارد.

در این مقاله روشی نوین برای تطبیق امپدانس خطوط مایکرواستریپ با استفاده از پدیده تونلینگ انرژی الکترومغناطیسی توسط فرا ماده ENZ ارائه شده است. در این روش ابعاد الکتریکی تطبیق گر امپدانس با استفاده از خاصیت هم فاز بودن موج در تمام محیط ENZ، نسبت به تطبیق گرهای دیگر مانند مبدل ربع طول موج، بسیار کوچک تر می شود. در این روش محدودیت پهنای باند از محدودیت پهنای باند ENZ ناشی می شود. در این مقاله فرا ماده ENZ با استفاده از موج بر مستطیلی که در مد TE10 کار می کند، پیاده سازی شده است. پهنای باند روش پیشنهادی بین %8 الی %15 حول فرکانس مرکزی خواهد بود. بر اساس روش پیشنهادی تطبیق امپدانس در خط مایکرواستریپ با امپدانس 100 اهم طراحی و شبیه سازی شده است.